一、单晶硅车间为什么必须先测气单晶硅以高纯多晶硅为原料，经直拉法（氩气保护下石英坩埚内加热熔融、提拉单晶）或区熔法制成；切方、线锯、磨抛产硅粉尘；外延与CVD工序用氢气、氯化氢、硅烷（CVD前驱体）等。密闭拉晶、切磨抛、外延区既缺氧（氩气富集）又使毒气、可燃气与粉尘积聚。进入前必须测气，防缺氧、防自燃中毒、防燃爆、防粉尘爆。二、进入前必测的几项气体，氧气浓度，正常应在19.5%—23.5%之间（拉晶、切磨抛、外延区重点防氩气富集缺氧）。第二，氩气（保护气，本身无毒但置换氧致缺氧）以防缺氧。第三，硅烷（CVD，自燃剧毒）依接触限值严控并由专探头。第四，氢气（外延清洗，爆炸下限约4%）须严控在10%爆炸下限以下。第五，氯化氢（CVD，腐蚀刺激）时间加权平均不超7.5；硅粉尘（呼吸性粉尘）依接触限值严控。三、检测流程怎么走进入拉晶、切磨抛、外延区前先开排风，用泵吸式气体检测仪从下部（氩气偏重、缺氧）和作业面（硅烷、氢气、氯化氢、硅粉尘）采样，多点测量。氧含量、硅烷、可燃气、毒气、粉尘低于限值再进入，监护复测，氢气与硅烷区禁明火静电用防爆不发火工具，CVD区防泄漏。四、仪器怎么用才稳固定式...